AMD remiama įmonė “Innovative Silicon
Inc.” sukūrė antrą Z-RAM technologijos kartą. Ji turėtų būti kiek spartesnė už pirmąją. Naujos kartos Z-RAM atmintis gaminama naudojant 65 nm technologinį procesą. Greitu laiku turėtų būti sukurti ir 45 nm jos modeliai.
Sunaudodama itin mažai energijos naujos kartos Z-RAM gali dirbti iki 400 MHz dažniu. Energijos suvartojimas priklauso nuo apkrovų, bet gali būti optimizuotas iki 10 mikrovatų vienam taktinio dažnio megahercui.
Z-RAM atmintis kol kas nėra niekam naudojama ir dar
neaišku, ar kada nors bus. Manoma, kad AMD jos tobulinimą remia planuodama Z-RAM
panaudoti savo būsimuose sprendimuose, skirtuose mobiliems telefonams.
Inc.” sukūrė antrą Z-RAM technologijos kartą. Ji turėtų būti kiek spartesnė už pirmąją. Naujos kartos Z-RAM atmintis gaminama naudojant 65 nm technologinį procesą. Greitu laiku turėtų būti sukurti ir 45 nm jos modeliai.
Sunaudodama itin mažai energijos naujos kartos Z-RAM gali dirbti iki 400 MHz dažniu. Energijos suvartojimas priklauso nuo apkrovų, bet gali būti optimizuotas iki 10 mikrovatų vienam taktinio dažnio megahercui.
Z-RAM atmintis kol kas nėra niekam naudojama ir dar
neaišku, ar kada nors bus. Manoma, kad AMD jos tobulinimą remia planuodama Z-RAM
panaudoti savo būsimuose sprendimuose, skirtuose mobiliems telefonams.
“Games.lt”
