Lyderiaujanti puslaidininkių technologijų kompanija
“Samsung Electronics” paskelbė sukūrusi 4Gb talpos “OneNANDTM” laikinosios
atminties įrenginį daugialypės terpės telefonams. Ši technologija yra itin kompaktiška, naudoja mažai energijos, pasižymi didelėmis galimybėmis ir talpumu.
“OneNAND” atminties įrangai, kuri palaiko labai mažo dydžio 3G mobiliuosius telefonus, pažangias PDA technologijas, naujos kartos mobilias žaidimų sistemas ir skaitmenines vaizdo kameras, prognozuojamas didelis populiarumas. Naująjai itin mažai (11x13x1.4 mm) “OneNAND” įrangai reikia 1.8V energijos, tai yra beveik perpus mažiau nei kitiems mobiliosios atminties tipams, reikalaujantiems 3.3V.
“Neseniai pristatyti naujos kartos mobiliojo DRAM ir daugiascheminio paketo (MCP) atminties patobulinimais, o dabar ir naujoji 4Gb “OneNAND” padės mums įtvirtinti lyderio poziciją sparčiai augančioje mobiliojo suderinamumo rinkoje”, – teigia vyresnysis “Samsung Semiconductor” pardavimų ir rinkodaros vice-prezidentas Tom Quinn.
4Gb “OneNAND” gali nepertraukiamai skaityti duomenis 108 MB/sek. greičiu, t. y. keturis kartus greičiau nei įprasta NAND laikinoji atmintis, ir rašyti duomenis 10MB/sek. greičiu – net 60 kartų greičiau nei NOR laikinoji atmintis. Joje telpa 250 penkių megapikselių fotoaparatu darytų nuotraukų arba iki 120 muzikinių failų.
“Samsung Electronics” sukūrė įvairių “OneNAND” laikinosios atminties produktų, kurių talpa varijuoja tarp 128MB ir 4Gb, su iš esmės visoms populiariausioms mobilioms operacinėms sistemoms tinkama programine įranga, tarp kurių ir “Symbian” bei “Linux”.
4 Gb “One NAND” atmintis sukurta QDP (Quad Die Package) technologija, 90 nanometrų gamybos procese montuojant keturias 1Gb “OneNAND” atminties schemas.
Rinkos tyrėjų “iSuppli” duomenimis, 3G mobiliosios įrangos pardavimai iki 2008 m. pasieks 240 mln. vienetų per metus, atsižvelgiant į įspūdingą 87 proc. šios rinkos augimą nuo 2004 m.
Kompanija teigia pradėsianti 4Gb “OneNAND” laikinosios atminties masinę gamybą šių metų liepą.
ELTA