Bendrovės “Infineon” ir “Nanya”, pasaulinėje operatyviosios atminties rinkoje užimančios, atitinkamai, ketvirtą bei šeštą vietas, pranešė pradedančios masiškai gaminti DDR2 atminties modulius naudojant 90 nm technologiją.
Lyginant su įprastine 110nm technologija, naujasis gamybos būdas turėtų leisti kiek sumažinti atminties kainas bei leisti padidinti našumą.
Kompanijos tikisi gana anksti pradėdamos 90 nm atminties gamybą priartėti prie rinkos lyderių “Samsung”, kurie su 90nm RAM dideliais kiekiais dar nedirba.
Pirmieji rinkoje pasirodys 512 MB
talpos DDR2 atminties moduliai, kurių lustai bus pagaminti naudojant 90 nm
technologiją. Vėliau prie jų turėtų prisijungti 256 MB ir 1 GB talpos versijos.
Kompanijos teigia, jog kitais metais turinti pasirodyti DDR3 atmintis taip pat
bus gaminama naudojant 90nm technologiją.
Lyginant su įprastine 110nm technologija, naujasis gamybos būdas turėtų leisti kiek sumažinti atminties kainas bei leisti padidinti našumą.
Kompanijos tikisi gana anksti pradėdamos 90 nm atminties gamybą priartėti prie rinkos lyderių “Samsung”, kurie su 90nm RAM dideliais kiekiais dar nedirba.
Pirmieji rinkoje pasirodys 512 MB
talpos DDR2 atminties moduliai, kurių lustai bus pagaminti naudojant 90 nm
technologiją. Vėliau prie jų turėtų prisijungti 256 MB ir 1 GB talpos versijos.
Kompanijos teigia, jog kitais metais turinti pasirodyti DDR3 atmintis taip pat
bus gaminama naudojant 90nm technologiją.
“Games.lt”
