ISSCC renginyje daugiausiai atminties pasaulyje pagaminanti kompanija “Samsung” pademonstravo GDDR4 lustą, kuris gali dirbti iki 40% didesniu nei standartinis dažniu.
Eksperimentinis 512 MB GDDR4 atminties lustas pagamintas naudojant 80 nm technologinį procesą. Jo darbui reikalinga 1.4-2.1 V įtampa. Lustui dirbant su 2.0V (standartinė GDDR4 įtampa – 1,9V) pasiektas įspūdingas 4GHz taktinis dažnis.
Dirbdama tokiu dažniu GDDR4 atmintis užtikrina net 16 GB/s duomenų pralaidą. Jei tokia atmintis būtų pradėta naudoti dabartinėse vaizdo plokštėse su 256 bitų magistrale, maksimali teorinė jų pralaida galėtų siekti iki 128 GB/s – dvigubai daugiau, nei siūlo vienintelės šiuo metu GDDR4 tipo atmintį naudojančios “ATI Radeon X1950 XTX” vaizdo plokštės.
Žinoma, netolimoje ateityje bus pereita prie 512 bitų pločio magistralių, na o drauge su naujais “Samsung” GDDR4 lustais tai reikštų iki 256 GB/s siekiantį pralaidumą – trigubai didesnį, nei dabar siūlo “GeForce 8800 GTX”.
Seniau buvo planuota, kad šiais metais GDDR4 atmintis dirbs apie 2,8 GHz taktiniu dažniu, na o 2008-aisiais bus pradėta naudoti 3,5-4 GHz taktiniu dažniu dirbanti GDDR5. “Samsung” naujovė gali šią ateities viziją gerokai pakeisti.
Kada pademonstruoti itin spartūs GDDR4 lustai bus pradėti gaminti dar neaišku, tačiau manoma, kad pirmi produktai su jais prekyboje turėtų pasirodyti iki kitų metų pradžios.
Eksperimentinis 512 MB GDDR4 atminties lustas pagamintas naudojant 80 nm technologinį procesą. Jo darbui reikalinga 1.4-2.1 V įtampa. Lustui dirbant su 2.0V (standartinė GDDR4 įtampa – 1,9V) pasiektas įspūdingas 4GHz taktinis dažnis.
Dirbdama tokiu dažniu GDDR4 atmintis užtikrina net 16 GB/s duomenų pralaidą. Jei tokia atmintis būtų pradėta naudoti dabartinėse vaizdo plokštėse su 256 bitų magistrale, maksimali teorinė jų pralaida galėtų siekti iki 128 GB/s – dvigubai daugiau, nei siūlo vienintelės šiuo metu GDDR4 tipo atmintį naudojančios “ATI Radeon X1950 XTX” vaizdo plokštės.
Žinoma, netolimoje ateityje bus pereita prie 512 bitų pločio magistralių, na o drauge su naujais “Samsung” GDDR4 lustais tai reikštų iki 256 GB/s siekiantį pralaidumą – trigubai didesnį, nei dabar siūlo “GeForce 8800 GTX”.
Seniau buvo planuota, kad šiais metais GDDR4 atmintis dirbs apie 2,8 GHz taktiniu dažniu, na o 2008-aisiais bus pradėta naudoti 3,5-4 GHz taktiniu dažniu dirbanti GDDR5. “Samsung” naujovė gali šią ateities viziją gerokai pakeisti.
Kada pademonstruoti itin spartūs GDDR4 lustai bus pradėti gaminti dar neaišku, tačiau manoma, kad pirmi produktai su jais prekyboje turėtų pasirodyti iki kitų metų pradžios.
„Games.lt“
